TiS2表面的STM显示原子结构

使用STM对合成TiS2单晶进行了研究。在“生长中”材料上，当较大的扫描尺寸时可看到孔隙。

更仔细地观察(横截面)可发现，孔隙的深度约为4 Angstroem,对应于单个原子层厚。

该STM实验是在环境条件下使用机械制备的Pt-Ir尖端进行的。所应用的典型的隧穿参数：3.8 nA隧穿电流和180 mV间隙电压。