GaN中的螺钉位错

氮化镓具有一些独特的特性，例如大的带隙，牢固的原子间键和高导热性。在过去的十几年中，由于GaN在高功率和高频电子器件以及蓝色LED器件中的潜在应用，引起了人们极大的兴趣。

GaN层通常通过金属有机化学气相沉积和分子束外延法生长。

尽管晶格和热膨胀系数非常不匹配，但蓝宝石现在仍是最常用的基材。结果是获得的GaN层通常包含大量的缺陷[4]，主要是位错。该图显示了一块具有台阶和螺钉位错（孔）的GaN。目标是计算位错和台阶分布的数量。