简介
化学机械抛光（CMP）是半导体行业在集成电路和存储盘制造过程中采用的标准制造工艺。当目标是使表面平坦时，通常称为化学机械平面化。抛光表面的形貌和电特性可以通过AFM来轻松表征。
显示了具有多个晶体管触点的集成电路结构的形貌图（图像高度范围：25 nm）。抛光后，触点可能显示为表面上高或低的结构。有些接触点几乎与表面处于相同的高度水平，因此很难仅在地形中识别。从表面突出的触点显出略微向右伸的"尾巴"。这个"尾巴"，在去程和回程中都可见，是抛光方向的结果。
在接触模式下，几个晶体管触点在C-AFM图中显示出了清晰的电导性，但程度不同（黄-红色）。其他的，特别是在中央结构中，一些仅显示出非常低的电导性（浅蓝色），而图像外部的大多数触点则完全没有显示出电导性（深蓝色）。具有相似电导性的触点以组的形式聚集在一起，并显示出整体对称（镜面反射）排列。
样品电流映射于形貌
抛光 IC 样品的电流曲线是沿着穿过样品的路径（以及一系列晶体管触点）生成的，如下图所示。生成的电流图显示在右侧。
(左图) 电流图显示了顺着穿过样品的路径。轮廓从图像的底部开始，经过所有高电导率区域，直至图像的顶部。（右图）所得的电流轮廓。可以分辨出样品中不同程度的电导率。
与直流偏压关联的触点的电导率
以改变的尖端偏压来对样品区域进行顺序成像。在此IC样品上，仅当将负直流偏置电压施加到导电尖端时才能观察到表面导电性：
在负的尖端偏压下，某些触点显示出导电特性（左图）。在正的尖端偏压下，先前的导电触点不导通（中图）。再次施加负的尖端偏压可恢复这些触点的导电性（右图）。
选定位置的电压I-V曲线
根据样品表面的位置，电压I-V曲线显示出明显不同的曲线。每个IV曲线记录的是在触点上的，而不是在芯片基材上的。
电流图 (左图)，形貌图（中图），和I-V曲线（右图）。彩色箭头指示了记录I-V曲线的位置。
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